パワー半導体モジュール用Si3N4絶縁基板
高強度・高靱性のSi3N4セラミックスに高熱伝導性を付与することで耐熱衝撃性および耐熱疲労性を向上させ、半導体モジュールの信頼性を大幅に改善しました。また、従来材のアルミナおよび窒化アルミでは不可能な新規モジュール構造を実現しました。
貴社に合わせた材料活用方法を提案します
独創性・優位性
トレードオフの関係にある強度と熱伝導率を両立した材料開発に成功しました。130W/m･kは世界最高水準です。
直接効果
図１ 従来構造
- 1従来、パワー半導体モジュールの絶縁基板としてアルミナおよび窒化アルミが用いられてきましたが、機械的強度が低いためモジュール自体の構造設計に制約があり、図１に示すような複雑なものでした。
図２ 新規モジュール構造
- 2当社は、新規に開発した高強度・高熱伝導Si3N4を絶縁基板として用いることにより、図２に示すようにモジュール構造を簡略化できました。厚板Cuを接合可能により、熱抵抗を下げることができ、さらに放熱板を省略することにより構造簡略化ならびに低コスト化が達成できます。
関連効果
開発Si3N4の応用分野：
- 1パワーモジュール用基板
- 2各種放熱基板
応用分野
- LED
- バッテリー
- 産業機器
パワーエレクトロニクス事業部
主要製造拠点
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ABOUT US
持続可能な社会を支える高機能材料会社
売上収益
1兆332億円
全従業員数
21,456人