プロテリアル金属は、これまで接合部材として導電性Ni-P微粒子を開発、製造してきました。このNi-P微粒子は、粒径1～30μmのものが製造可能で、耐熱性、均一な粒径（図参照）、高い真球度、高い硬度を特長としています。これまでもめっき品として、高耐食のニーズに応えるため金（Au）めっき品を保有していましたが、低抵抗化には限界がありました。そこで、プロテリアル金属はAu以外の材質をめっきできる新たなめっき技術を開発しました。

　この技術により、導電性Ni-P微粒子に抵抗値が低い銀（Ag）めっき、銅（Cu）めっきを行うことが可能となり、体積抵抗率について、金めっき付きNi-P微粒子と比較して銀めっき付きNi-P微粒子で約1/5、銅めっき付きNi-P微粒子で約1/9（表参照）とし、電気回路での信号伝達のさらなる高速・大容量化に対応できるようにしました。また、低融点はんだめっきを行うことも可能になり、はんだ付けによる接触面積の拡大と金属接合による低抵抗化も可能にしました。

　これらのめっきは、従来のNi-P微粒子の特長であった耐熱性、均一な粒径（図参照）、真球度は維持したままで施すため、接続面の平坦度維持と適切なギャップ（すきま）形成は従来のNi-P微粒子と同レベルで可能です。さらに、高い硬度を持つNi-P微粒子をコアとすることから、シリコン基板やガラス基板などと半導体チップの接合（実装）に役立つことが期待されます。

　プロテリアル金属は、これらの特長のあるめっき付きNi-P微粒子によって、半導体およびその関連製品の高機能化・低消費電力化に貢献していきます。